根据外媒 Tom's Hardware 的报道， GlobalFoundries (格罗方德)上周宣布，已经使用其12nm FinFET 工艺成功制成了高性能的 3D Arm 芯片。格罗方德表示：“这些高密度的 3D 芯片将为计算应用，如AI/ML(人工智能和机器学习)以及高端消费级移动和无线解决方案，带来新的性能和能源效率。”
据报道，格罗方德和 Arm 已经验证了3D 设计测试 (DFT) 方法，使用的是格罗方德的混合晶圆对晶圆键合。这项技术每平方毫米可支持多达 100 万个 3D 连接，使其具有高度可扩展性，并有望为 12nm 3D 芯片提供更长的使用寿命。 （IT 之家）
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